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日本冲绳科学技术大学院大学设计了一种新型极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。这项技术能让光刻设备使用较小的EUV光源，降低了成本，同时提升了机器的可靠性并延长了其使用寿命。新设计使得功耗降低至传统EUV光刻机的十分之一，有助于推动半导体行业的可持续发展。
（科技日报记者 张梦然 赵卫华）
责任编辑： 陈可轩本文链接：http://knowith.com/news-1-2183.html科技新突破丨新光刻技术面世 超越半导体制造业标准界限
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